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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > W947D2HBJX5I TR

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3068121

W947D2HBJX5I TR-Bild.

Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX5I TR

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Spezifikation

Artikelnummer

W947D2HBJX5I TR
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W947D2HBJX5I TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-VFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Andere Namen

W947D2HBJX5I TR-ND
W947D2HBJX5ITR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "W947D2HBJX5I TR" -Einziper.

W947D2HBJX5E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D6HBHX6E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6KH-5I

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6KH-4

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6KH-4 TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6JH-5I

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6KH-5

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W948D2FBJX5E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D2HBJX6E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W9464G6KH-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D6HBHX5I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D2HBJX5I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W947D6HBHX5E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

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