Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > W947D2HBJX6E
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5408627W947D2HBJX6E-Bild.Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX6E

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
240+
$2.946
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    W947D2HBJX6E
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W947D2HBJX6E.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5ns

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "W947D2HBJX6E" -Einziper.
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.