W947D2HBJX6E

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240+

$2.946

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Spezifikation

Artikelnummer

W947D2HBJX6E
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W947D2HBJX6E.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-VFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "W947D2HBJX6E" -Einziper.

W9464G6KH-4 TR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

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