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6767835W9464G6KH-5-Bild.Winbond Electronics Corporation

W9464G6KH-5

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W9464G6KH-5
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 55ns 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    55ns
W947D2HBJX5E TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9464G6JH-5

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX5E

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W9464G6KH-5 TR

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W9464G6KH-5I

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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W9425G6KH-4

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6KH-5I

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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W947D2HBJX5I TR

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W947D2HBJX6E TR

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W9425G6KH-5I TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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W9464G6KH-4 TR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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W9464G6KH-4

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W947D2HBJX6E

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W9425G6KH-5 TR

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W947D6HBHX5E

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