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4017180W9864G6KH-6I TR-Bild.Winbond Electronics Corporation

W9864G6KH-6I TR

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  • Artikelnummer
    W9864G6KH-6I TR
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W9864G6KH-6I TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    W9864G6KH-6I TR-ND
    W9864G6KH-6ITR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5ns

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Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6E

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-6 TR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6KH-5 TR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9864G6JH-6I

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Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W987D6HBGX6I

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX6I

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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W9864G6JH-5

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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W987D2HBJX7E

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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