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1673526W987D6HBGX6I TR-Bild.Winbond Electronics Corporation

W987D6HBGX6I TR

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  • Artikelnummer
    W987D6HBGX6I TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-VFBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TFBGA
  • Andere Namen
    W987D6HBGX6I TR-ND
    W987D6HBGX6ITR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
W987D2HBJX6E

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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