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5998810W987D2HBJX6I-Bild.Winbond Electronics Corporation

W987D2HBJX6I

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  • Artikelnummer
    W987D2HBJX6I
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W987D2HBJX6I.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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W9864G6KH-5

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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W9864G6JH-6I

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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