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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > W988D2FBJX6E TR

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6825669

W988D2FBJX6E TR-Bild.

Winbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6E TR

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Spezifikation

Artikelnummer

W988D2FBJX6E TR
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W988D2FBJX6E TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR
Supplier Device-Gehäuse

90-VFBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-TFBGA
Andere Namen

W988D2FBJX6E TR-ND
W988D2FBJX6ETR
Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "W988D2FBJX6E TR" -Einziper.

W987D6HBGX6E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D6FBGX7E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D6FBGX6I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D6HBGX6I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D6HBGX7E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D2FBJX6E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D2HBJX7E

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D6FBGX6E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D2FBJX6I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

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W988D2FBJX7E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

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W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

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