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5282664W988D2FBJX7E-Bild.Winbond Electronics Corporation

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  • Artikelnummer
    W988D2FBJX7E
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W988D2FBJX7E.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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