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Einführung

SemiQ - Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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Kategorie
7
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373

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GCMS008A120B1B1

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Beschreibung: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2M004A065CG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D005A170B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A080FH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M016A060F

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD120A018S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M009A090N

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GCMS020A120B1H1

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Beschreibung: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD160A018S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GCMS040A120B1H1

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Beschreibung: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD080A008S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M018A020PG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227

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GP1M005A050CH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2M012A060H

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 285A

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227

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Beschreibung: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

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Beschreibung: DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

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GPA025A120MN-ND

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Beschreibung: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

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Beschreibung: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

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GHIS200A120S3B1

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

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GP1M003A080CH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

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GP1M016A060H

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

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GCMS080A120B1H1

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Beschreibung: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

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