GP1M009A090N

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M009A090N
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M009A090N.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3PN
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Verlustleistung (max)

312W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen

1560-1174-1
1560-1174-1-ND
1560-1174-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 9.5A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M009A090N" -Einziper.

GP1M009A020FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090N

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