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FQN1N50CBU

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQN1N50CBU
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FQN1N50CBU.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 190mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    890mW (Ta), 2.08W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    380mA (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "FQN1N50CBU" -Einziper.
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTX20N150

IXTX20N150

Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FDN302P

FDN302P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6800U

2N6800U

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 18LCC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
CSD19534KCS

CSD19534KCS

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NDDL01N60ZT4G

NDDL01N60ZT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTMFS4946NT3G

NTMFS4946NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRLR7807ZPBF

IRLR7807ZPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI7230DN-T1-GE3

SI7230DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NTP18N06G

NTP18N06G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD64N4F6AG

STD64N4F6AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 54A

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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