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FQN1N60CBU

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FQN1N60CBU
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FQN1N60CBU.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92-3
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 Ohm @ 150mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta), 3W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    300mA (Tc)

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Das Folgende sind "FQN1N60CBU" -Einziper.
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFP9640

SFP9640

Beschreibung: MOSFET P-CH 200V 11A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF820ASTRL

IRF820ASTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFS4510TRLPBF

IRFS4510TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
TPS1100PWR

TPS1100PWR

Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPC60R190P6X7SA1

IPC60R190P6X7SA1

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STW9NK70Z

STW9NK70Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRFZ34E

IRFZ34E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS6B03NWFT1G

NVMFS6B03NWFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPD90N10S406ATMA1

IPD90N10S406ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
STU150N3LLH6

STU150N3LLH6

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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