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FQN1N50CTA

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Spezifikation

Artikelnummer

FQN1N50CTA
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FQN1N50CTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-92-3
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 190mA, 10V
Verlustleistung (max)

890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen

FQN1N50CTACT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

6 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

380mA (Tc)

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Das Folgende sind "FQN1N50CTA" -Einziper.

IXFK60N55Q2

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 60A TO-264

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

STI20N60M2-EP

STI20N60M2-EP

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

FQNL1N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

AOC2415

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 4WLCSP

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

FQNL1N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

APT60M80L2VRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

2SK3670,F(M

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IRFB7746PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 59A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

EPC2021ENG

Beschreibung: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Hersteller: EPC

vorrätig

STI100N10F7

Beschreibung: MOSFET

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

SI1307DL-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FQNL2N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

AOTF20C60PL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

BUK961R7-40E,118

BUK961R7-40E,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

FQNL2N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NDF08N50ZG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

AOT5N50_001

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

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