FQNL2N50BBU

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Spezifikation

Artikelnummer

FQNL2N50BBU
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FQNL2N50BBU.pdf
2.FQNL2N50BBU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-92L
Serie

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3 Ohm @ 175mA, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

350mA (Tc)

Das Folgende sind "FQNL2N50BBU" -Einziper.

IRFR18N15DTRLP

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

FQN1N50CBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FDP3682

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IRF6626TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

NTMFS4C58NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

MMBFV170LT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FDMA0104

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

TK16A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

FQN1N60CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQNL1N50BBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQN1N60CBU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQNL2N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQN1N50CTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI7446BDP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

FQNL1N50BTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ATP301-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

STP20NM60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

PMF280UN,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

RFQ

IRLHM620TR2PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SPP100N03S2L03

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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FQNL1N50BBU

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STP20NM60

PMF280UN,115

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