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Zuhause > Produkte > Isolatoren > Optoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang > H11G2SR2M

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H11G2SR2M-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G2SR2M

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Spezifikation

Artikelnummer

H11G2SR2M
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

H11G2SR2M.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Ausgabe (max)

80V
Spannung - Isolation

4170Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V
VCE Sätttigung (max)

1V
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 100µs
Supplier Device-Gehäuse

6-SMD
Serie

-
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, Gull Wing
Ausgabetyp

Darlington with Base
Andere Namen

H11G2SR2MTR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

9 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

DC
detaillierte Beschreibung

Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)

1000% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max)

-
Strom - Ausgang / Kanal

-
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)

60mA

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Das Folgende sind "H11G2SR2M" -Einziper.

H11G2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2S

H11G2S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SD

H11G2SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2M_F132

H11G2M_F132

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2300

H11G2300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SVM

H11G2SVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2

H11G2

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G23SD

H11G23SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2SR2VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G33S

H11G33S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G3300

H11G3300

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11G2W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G2300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11G3

H11G3

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G33SD

H11G33SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

H11G3300W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11G23S

H11G23S

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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H11G2TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

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