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4771944AS4C32M16SM-7TCN-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16SM-7TCN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C32M16SM-7TCN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C32M16SM-7TCN.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    1450-1124
    AL48LC32M16A2P-75:C
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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AS4C32M16SB-6TIN

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