AS4C32M32MD1-5BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C32M32MD1-5BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C32M32MD1-5BIN.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-FBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-VFBGA
Andere Namen

1450-1303
AS4C32M32MD1-5BIN-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1Gb (32M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C32M32MD1-5BIN" -Einziper.

AS4C32M16SM-7TINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD1-5BIN

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