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386366AS4C32M16SM-7TCNTR-Bild.Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16SM-7TCNTR

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  • Artikelnummer
    AS4C32M16SM-7TCNTR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-6TIN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SA-7TIN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M32MD1A-5BIN

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AS4C32M32MD1-5BCN

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AS4C32M16SB-7TCN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M16SM-7TIN

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M32MD1A-5BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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AS4C32M16SM-7TCN

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AS4C32M32MD1-5BCNTR

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AS4C32M16SA-7TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M16SB-7TCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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AS4C32M32MD2-25BCN

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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AS4C32M16SM-7TINTR

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