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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > AS4C32M32MD1A-5BINTR

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AS4C32M32MD1A-5BINTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C32M32MD1A-5BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C32M32MD1A-5BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C32M32MD1A-5BINTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR
Supplier Device-Gehäuse

90-FBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

90-VFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

1Gb (32M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

5ns

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Das Folgende sind "AS4C32M32MD1A-5BINTR" -Einziper.

AS4C32M8D1-5TINTR

AS4C32M8D1-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M8D1-5TCNTR

AS4C32M8D1-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M8D1-5TIN

AS4C32M8D1-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M8SA-6TIN

AS4C32M8SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD2A-25BCN

AS4C32M32MD2A-25BCN

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD2-25BCNTR

AS4C32M32MD2-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD2A-25BCNTR

AS4C32M32MD2A-25BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M32MD1-5BINTR

AS4C32M32MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M8SA-6TINTR

AS4C32M8SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M8D1-5TCN

AS4C32M8D1-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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