AS4C8M16SA-7BCNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C8M16SA-7BCNTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

AS4C8M16SA-7BCNTR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

14ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TFBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

54-TFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
Uhrfrequenz

143MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C8M16SA-7BCNTR" -Einziper.

AS4C8M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

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