DMT8012LK3-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT8012LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT8012LK3-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

2.7W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMT8012LK3-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1949pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

44A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT8012LK3-13" -Einziper.

DMT8012LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT8012LK3-13

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