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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1SS361LPH4-7B
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3796251SS361LPH4-7B-Bild.Diodes Incorporated

1SS361LPH4-7B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS361LPH4-7B
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS361LPH4-7B.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    X2-DFN1006-2
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    0402 (1006 Metric)
  • Andere Namen
    1SS361LPH4-7BDITR
    1SS361LPH47B
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount X2-DFN1006-2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    3pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1SS361

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Das Folgende sind "1SS361LPH4-7B" -Einziper.
1SS356TW11

1SS356TW11

Beschreibung: DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS367,H3F

1SS367,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS361LP3-7

1SS361LP3-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS361UDJ-7

1SS361UDJ-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS374(TE85L,F)

1SS374(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS361FV,L3F(T

1SS361FV,L3F(T

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS362FV,L3F

1SS362FV,L3F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS379,LF

1SS379,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355-TP

1SS355-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS362TE85LF

1SS362TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS378(TE85L,F)

1SS378(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS370TE85LF

1SS370TE85LF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS381,L3F

1SS381,L3F

Beschreibung: DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS380TE-17

1SS380TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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