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57999281SS361UDJ-7-Bild.Diodes Incorporated

1SS361UDJ-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS361UDJ-7
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.23V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-963
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-963
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    2 Independent
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 2 Independent Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount SOT-963
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 80V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    250mA (DC)
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS379,LF

1SS379,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS378(TE85L,F)

1SS378(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS361LPH4-7B

1SS361LPH4-7B

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1SS374(TE85L,F)

1SS374(TE85L,F)

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS367,H3F

1SS367,H3F

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS381,L3F

1SS381,L3F

Beschreibung: DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Beschreibung:

Hersteller: ROHM
vorrätig
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS356TW11

1SS356TW11

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS380TE-17

1SS380TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS361FV,L3F(T

1SS361FV,L3F(T

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS370TE85LF

1SS370TE85LF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS382TE85LF

1SS382TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS361LP3-7

1SS361LP3-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1SS362FV,L3F

1SS362FV,L3F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1SS362TE85LF

1SS362TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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