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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-RF > 1SS356TW11
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63964361SS356TW11-Bild.LAPIS Semiconductor

1SS356TW11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS356TW11
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.1SS356TW11.pdf
    2.1SS356TW11.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    35V
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMD2
  • Serie
    -
  • Widerstand @ If, F
    900 mOhm @ 2mA, 100MHz
  • Verlustleistung (max)
    200mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-90, SOD-323F
  • Andere Namen
    1SS356TW11CT
  • Betriebstemperatur
    125°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard - Single
  • detaillierte Beschreibung
    RF Diode Standard - Single 35V 100mA 200mW UMD2
  • Strom - Max
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    1.2pF @ 6V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1SS356

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Das Folgende sind "1SS356TW11" -Einziper.
1SS361LP3-7

1SS361LP3-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1SS361UDJ-7

1SS361UDJ-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS352,H3F

1SS352,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS362FV,L3F

1SS362FV,L3F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS362TE85LF

1SS362TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS367,H3F

1SS367,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS355-TP

1SS355-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS361FV,L3F(T

1SS361FV,L3F(T

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS361LPH4-7B

1SS361LPH4-7B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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