Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMG3418L-7
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
242870DMG3418L-7-Bild.Diodes Incorporated

DMG3418L-7

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.099
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG3418L-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG3418L-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.4W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMG3418L-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    464.3pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4A (Ta)
  • Basisteilenummer
    DMG3418

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMG3418L-7" -Einziper.
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.