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3632855DMG4468LFG-Bild.Diodes Incorporated

DMG4468LFG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG4468LFG
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG4468LFG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    U-DFN3030-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    990mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerUDFN
  • Andere Namen
    1034-DMG4468LFGDIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    867pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.62A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG4468LFG" -Einziper.
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
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