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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMG4435SSS-13

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DMG4435SSS-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMG4435SSS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG4435SSS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG4435SSS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 11A, 20V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMG4435SSS-13DITR
DMG4435SSS13
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1614pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.4nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.3A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG4435SSS-13" -Einziper.

DMG3418L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG3418L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4407SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4406LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG3415UFY4Q-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4496SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4413LSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG3420U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG3415UFY4-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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