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DMG3N60SCT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG3N60SCT
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG3N60SCT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    104W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    22 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    354pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.3A (Tc)

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Das Folgende sind "DMG3N60SCT" -Einziper.
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
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