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604750DMG7401SFGQ-7-Bild.Diodes Incorporated

DMG7401SFGQ-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG7401SFGQ-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG7401SFGQ-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 12A, 20V
  • Verlustleistung (max)
    940mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Andere Namen
    DMG7401SFGQ-7DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2987pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 20V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9.8A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG7401SFGQ-7" -Einziper.
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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