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557042DMG8880LK3-13-Bild.Diodes Incorporated

DMG8880LK3-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG8880LK3-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMG8880LK3-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.68W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    DMG8880LK3-13DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1289pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG8880LK3-13" -Einziper.
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
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DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
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DMG963HC0R

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

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