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DMG7N65SCTI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMG7N65SCTI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ITO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    28W (Tc)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    886pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 7.7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.7A (Tc)
DMG963010R

DMG963010R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG963020R

DMG963020R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG904010R

DMG904010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG963030R

DMG963030R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic
vorrätig
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7401SFG-13

DMG7401SFG-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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