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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMG7702SFG-7

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2016718

DMG7702SFG-7-Bild.

Diodes Incorporated

DMG7702SFG-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG7702SFG-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG7702SFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

890mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMG7702SFG-7DIDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Body)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta)

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Das Folgende sind "DMG7702SFG-7" -Einziper.

DMG8880LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG6968UQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG8601UFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7408SFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG904010R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Hersteller: Panasonic

vorrätig

DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7401SFG-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7401SFG-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7401SFGQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG963010R

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Hersteller: Panasonic

vorrätig

DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG6968UDM-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7430LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7702SFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG8880LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG7401SFGQ-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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