Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN2B01FTA

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2034446

ZXMN2B01FTA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN2B01FTA

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.142

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN2B01FTA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN2B01FTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

625mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

ZXMN2B01FTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2.1A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.1A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "ZXMN2B01FTA" -Einziper.

ZXMN2A04DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F34FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2B14FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A02X8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A03E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F30FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A02X8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2B03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F34MATA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.