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ZXMN2F34FHTA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN2F34FHTA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN2F34FHTA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN2F34FHTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

950mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

ZXMN2F34FHTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

277pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 3.4A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.4A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN2F34FHTA" -Einziper.

ZXMN3A02N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2B01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F34MATA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2B03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A02X8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F30FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2AM832TA

ZXMN2AM832TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2B14FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A02X8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A01E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN2A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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