SI2392DS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2392DS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2392DS-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

126 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SI2392DS-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

196pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.1A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2392DS-T1-GE3" -Einziper.

SI2365EDS-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI2392DS-T1-GE3

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