SI3474DV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3474DV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3474DV-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

126 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

3.6W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3474DV-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

196pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 3.8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.8A (Tc)

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Das Folgende sind "SI3474DV-T1-GE3" -Einziper.

SI3480-A01-GM

Beschreibung: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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SI3474DV-T1-GE3

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