SI3475DV-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3475DV-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3475DV-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3.2W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3475DV-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 200V 950mA (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

950mA (Tc)

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Das Folgende sind "SI3475DV-T1-E3" -Einziper.

SI3469DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3475DV-T1-E3

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