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SI5401DC-T1-E3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5401DC-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5401DC-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5401DC-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5401DC-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.2A (Ta)

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Das Folgende sind "SI5401DC-T1-E3" -Einziper.

SI5397A-A-GM

SI5397A-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5406DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5397B-A-GM

SI5397B-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5402DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5397C-A-GM

SI5397C-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5397A-A-EVB

SI5397A-A-EVB

Beschreibung: EVAL

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5396K-A-GM

SI5396K-A-GM

Beschreibung: DUAL PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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