SI5402DC-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5402DC-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5402DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.9A (Ta)

Das Folgende sind "SI5402DC-T1-GE3" -Einziper.

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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