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5757161SI5402BDC-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5402BDC-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI5402BDC-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI5402BDC-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.3W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    SI5402BDC-T1-E3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.9A (Ta)

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Das Folgende sind "SI5402BDC-T1-E3" -Einziper.
SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI5397A-A-GM

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Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI5402DC-T1-GE3

SI5402DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI5397L-A-GM

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Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI5397J-A-GM

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Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI5397C-A-GM

SI5397C-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5397B-A-GM

SI5397B-A-GM

Beschreibung: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

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SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI5401DC-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

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