SI5406CDC-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5406CDC-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5406CDC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5406CDC-T1-GE3TR
SI5406CDC-T1-GE3TR-N
SI5406CDCT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

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