SI5435BDC-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5435BDC-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5435BDC-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.3A, 10V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5435BDC-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.3A (Ta)

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Das Folgende sind "SI5435BDC-T1-GE3" -Einziper.

SI5433BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5435BDC-T1-GE3

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