SI5442DU-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI5442DU-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5442DU-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® ChipFet Single
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 8A, 4.5V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 31W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® ChipFET™ Single
Andere Namen

SI5442DU-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Tc)

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Das Folgende sind "SI5442DU-T1-GE3" -Einziper.

SI5441BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5442DU-T1-GE3

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