Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI5447DC-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2266265

SI5447DC-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5447DC-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI5447DC-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI5447DC-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

76 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

SI5447DC-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 3.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.5A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI5447DC-T1-GE3" -Einziper.

SI5447DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5441DC-T1-GE3

SI5441DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5443DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5458DU-T1-GE3

SI5458DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5446DU-T1-GE3

SI5446DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5461EDC-T1-E3

SI5461EDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5449DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5445BDC-T1-GE3

SI5445BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5443DC-T1-GE3

SI5443DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5449DC-T1-GE3

SI5449DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5445BDC-T1-E3

SI5445BDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5448DU-T1-GE3

SI5448DU-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 25A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5441DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI5461EDC-T1-GE3

SI5461EDC-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.