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6656855SI7718DN-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7718DN-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI7718DN-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI7718DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8
  • Andere Namen
    SI7718DN-T1-GE3TR
    SI7718DNT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1600pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    35A (Tc)

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SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7682DP-T1-GE3

SI7682DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

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vorrätig
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SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

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vorrätig
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SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

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vorrätig
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SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7738DP-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

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