SI7726DN-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.46

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI7726DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7726DN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "SI7726DN-T1-GE3" -Einziper.

SI7703EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7726DN-T1-GE3

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Kontrapunkt: Bis 2024 erreicht die globale Versand von CMOS...

Der 2nm-Chip von TSMC wird in der zweiten Jahreshälfte mit...

Starke Nachfrage nach analogen Chips, Texas Instruments Q2 ...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institution: Der selbst entwickelte Chip von Apple wird vor...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM -CEO warn

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics verbessert die Schlüssel -Chip -...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Globaler Halbleitertarifschub: Verschiebungen der Lief...

SK Hynix plant, in diesem Jahr über 20 Billionen KRW zu in...

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache