SI7738DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7738DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7738DP-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

38 mOhm @ 7.7A, 10V
Verlustleistung (max)

5.4W (Ta), 96W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SI7738DP-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 150V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7738DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7726DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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