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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI7758DP-T1-GE3

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SI7758DP-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7758DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7758DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7758DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Serie

SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SI7758DP-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7758DP-T1-GE3" -Einziper.

SI7804DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7802DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

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SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

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SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

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SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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