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1357860SI7790DP-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7790DP-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI7790DP-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI7790DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5.2W (Ta), 69W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® SO-8
  • Andere Namen
    SI7790DP-T1-GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4200pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Tc)

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SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7810DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7802DN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

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SI7758DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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SI7788DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

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vorrätig
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SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

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SI7806ADN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

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SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

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SI7772DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7804DN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

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SI7738DP-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

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SI7806ADN-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

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SI7804DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

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SI7792DP-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

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