SIDR680DP-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIDR680DP-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 80V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIDR680DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SO-8DC
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

6.25W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SO-8
Andere Namen

SIDR680DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

32.8A (Ta), 100A (Tc)

Das Folgende sind "SIDR680DP-T1-GE3" -Einziper.

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

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